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반도체 직무 지도
건물을 누르면 노란 불이 켜지고 그곳에서 일하는 직무가 나와요. 직무는 회사와 상관없이 보편적인 내용이고, 회사는 유형별 국내 예시로만 보여 줘요.
회사 유형 필터
고르면 그 회사에 있는 건물에 파란 테두리가 생기고, 없는 건물은 흐려져요
노란 불 = 지금 보는 건물 (직무가 아래에 나와요)
파란 테두리 = 고른 회사 유형에 있는 건물
흐림 = 그 유형에 없는 건물
칩의 여정: ① 설계 → ② FAB(웨이퍼 제조) → ③ 후공정. 세 단계를 한 회사가 다 하는 메모리·IDM을 고르면 이 줄무늬가 움직여요. 마스크 제작은 R&D센터에서 맡아요.
건물 고르기 · 눌러서 직무 보기 (지도의 건물을 눌러도 같아요)
ENCYCLOPEDIA
이론 백과사전
소자부터 공정, 첨단 기술까지 폴더별로 정리했어요.
반도체 기초 이론
- 캐리어 농도반도체 물리 · 반도체 소자에서 캐리어 농도가 적절하지 않으면 소자의 전기적 특성이 크게 변한다. 예를 들어, 트랜지스터의
- 유효 질량반도체 물리 · 반도체에서 전자가 이동할 때, 실제 질량과는 다른 유효 질량이라는 개념이 필요하다. 이는 전자가 결정 구조
- 에너지 밴드반도체 물리 · 반도체는 그 자체로 전기가 잘 흐르지 않는다. 그러나 외부 에너지를 받으면 전류가 흐를 수 있다. 이때, 전
- PN 접합반도체 물리 · PN 접합은 다이오드, 트랜지스터, 태양전지 등 다양한 전자 소자의 기본 구성 요소로 사용된다. 이러한 소자
- 페르미 준위반도체 물리 · f(E) = \frac{1}{1 + e^{(E-E_F)/kT}} 절대영도(0K)에서는 아래의 상태는 모두 채
반도체 소자
- 문턱 전압트랜지스터 소자 · 트랜지스터는 전류를 제어하는 스위치 역할을 한다. 문턱 전압이 없으면 트랜지스터는 항상 켜져 있거나 꺼져 있
- 리프레시 동작메모리 반도체 · 메모리 반도체에서 리프레시 동작이란 저장된 데이터를 주기적으로 새로 고치는 과정을 말한다. 이는 주로 휘발성
- 누설 전류트랜지스터 소자 · 반도체 소자에서 누설 전류가 증가하면 소자의 전력 소모가 커지고, 열이 발생하여 성능과 수명이 저하된다. 예
- 단채널 효과 (SCE)트랜지스터 소자 · 채널이 충분히 길면 채널의 상태는 게이트 전압이 거의 혼자 정한다. 소스와 드레인 주변에 생기는 공핍 영역은
- SRAM 셀 구조메모리 반도체 · 스마트폰이나 컴퓨터가 순간적인 작업을 빠르게 수행하지 못한다면 사용자는 큰 불편을 겪게 된다. SRAM(St
- NAND 플래시 구조메모리 반도체 · 기존의 DRAM은 빠른 속도를 제공하지만, 전원이 꺼지면 데이터가 사라진다. 반면, 하드 디스크 드라이브(H
- 채널 길이 변조트랜지스터 소자 · 이상적인 MOSFET은 포화 영역에서 드레인 전압을 올려도 드레인 전류가 변하지 않는 전류원처럼 동작한다.
- MOSFET트랜지스터 소자 · 현대 전자 기기에서 수많은 트랜지스터가 집적된 반도체 칩이 없다면, 컴퓨터나 스마트폰 같은 기기의 성능은 크
- DRAM 동작 원리메모리 반도체 · DRAM은 고속 데이터 접근과 대용량 저장이 필요한 컴퓨터 및 전자기기에서 필수적이다. 주로 주기억장치로 사
반도체 8대 공정
- 초크랄스키 공정1. 웨이퍼 제조 공정 · 반도체 칩의 성능과 신뢰성은 웨이퍼의 품질에 크게 좌우된다. 웨이퍼가 고품질의 단결정 실리콘으로 만들어져야
- Deal-Grove 모델2. 산화 공정 (Oxidation) · 반도체 제조 과정에서 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 산화막을 형성하는 단계이다. 이 산화막은 웨이퍼
- 전자 이동(Electromigration)6. 금속 배선 공정 (Metallization) · 전자 이동은 반도체 소자의 신뢰성에 큰 영향을 미친다. 특히 금속 배선에서 전류가 고속으로 흐를 때, 금속
- 웨이퍼 연마(CMP)1. 웨이퍼 제조 공정 · 반도체 제조에서 웨이퍼 표면이 울퉁불퉁하면 문제가 생긴다. 표면이 고르지 않으면 이후 공정에서 패턴이 왜곡될
- PVD 공정5. 박막 증착 공정 (Deposition) · 반도체 제조에서 얇고 균일한 박막을 형성하지 못하면 소자의 전기적 특성이 제대로 발휘되지 않는다. 예를 들어
- Bowing 현상4. 식각 공정 (Etching) · 반도체 제조 공정에서 식각은 원하는 패턴을 정확하게 형성하는 데 필수적이다. 하지만 식각이 제대로 이루어지지
- 와이어 본딩8. 패키징 공정 (Packaging) · 반도체 칩은 내부에서 수많은 전기 신호를 처리하지만, 외부와 연결되지 않으면 그 성능을 발휘할 수 없다. 와
- 리페어와 리던던시7. EDS 공정 (Testing) · 반도체 칩은 생산 과정에서 미세한 결함이 발생할 수 있다. 이런 결함은 칩의 기능을 저하시켜 최종 제품에서
- 식각 선택비4. 식각 공정 (Etching) · 식각에서는 깎을 막만 없애고 나머지는 남겨야 한다. 그러나 식각 가스나 약품은 대상 막만 골라서 깎지 못하고
- 구리 다마신 공정6. 금속 배선 공정 (Metallization) · 알루미늄 배선은 금속막을 먼저 입히고 필요한 부분만 남기도록 식각한 뒤, 배선 사이를 절연막으로 채워 만들었
- 포토레지스트3. 포토 공정 (Photo) · 노광 장비가 만드는 것은 빛의 밝고 어두운 무늬일 뿐이라서, 그 자체로는 아래 막에 아무것도 새기지 못한다.
- 게이트 산화막2. 산화 공정 (Oxidation) · 게이트 산화막이 없으면 반도체 소자의 스위칭 기능이 제대로 작동하지 않는다. 이 막은 금속 산화 반도체 전계
- 몰딩 공정8. 패키징 공정 (Packaging) · 반도체 소자는 외부 환경에 매우 민감하다. 먼지, 습기, 충격 같은 외부 요인에 의해 쉽게 손상될 수 있다.
- CVD 공정5. 박막 증착 공정 (Deposition) · 반도체 제조에서 박막 증착이 제대로 이루어지지 않으면 소자의 성능과 신뢰성이 크게 저하된다. 특히, 균일한
- 번인 테스트7. EDS 공정 (Testing) · 반도체 제품이 시장에 출시되기 전에, 제품의 신뢰성을 확인하지 않으면 예기치 않은 고장으로 인해 큰 손실이
- 배리어 메탈6. 금속 배선 공정 (Metallization) · 구리는 실리콘 산화막과 실리콘 속으로 쉽게 확산하는 금속이다. 구리 원자가 트랜지스터까지 닿으면 실리콘 안에
- 패키지 열 방출8. 패키징 공정 (Packaging) · 반도체 소자가 정상 작동하지 않거나 수명이 짧아지는 문제는 주로 열 관리 실패에서 비롯된다. 소자 내부에서
- 해상도와 초점 심도3. 포토 공정 (Photo) · 포토 공정은 마스크의 패턴을 렌즈로 줄여서 웨이퍼 위 감광막에 비춘다. 이때 얼마나 가는 선까지 또렷하게 그
- 플립칩 패키지8. 패키징 공정 (Packaging) · 반도체 소자는 점점 더 작은 크기로 제작되지만, 성능은 계속 향상되어야 한다. 이런 요구를 충족하기 위해서는
- ALD 공정5. 박막 증착 공정 (Deposition) · 반도체 소자의 크기가 점점 줄어들면서, 제조 공정의 정밀도와 균일성이 중요해졌다. 기존의 화학 기상 증착(C
- RC 지연6. 금속 배선 공정 (Metallization) · 반도체 회로에서 데이터 전송 속도가 느려지면 시스템 전체의 성능이 떨어진다. 이는 주로 RC 지연 때문인데,
- 노광 공정3. 포토 공정 (Photo) · 노광 공정은 마스크(레티클)에 그려 둔 회로 패턴을 빛으로 웨이퍼 위의 감광막(포토레지스트, PR)에 옮기는
- 실리콘 잉곳1. 웨이퍼 제조 공정 · 먼저 모래(SiO₂)를 정제해 고순도 폴리실리콘을 만든다. 이 폴리실리콘을 녹여 단결정으로 키운 것이 잉곳이
- 건식 산화2. 산화 공정 (Oxidation) · 반도체 소자의 성능과 신뢰성은 산화막의 품질에 크게 좌우된다. 산화막이 제대로 형성되지 않으면 누설 전류가
- 건식 식각4. 식각 공정 (Etching) · 식각은 패턴대로 막을 깎아 내어 회로 모양을 만드는 공정이다. 식각이 제대로 되지 않으면 설계한 모양이 나오
- 수율(Yield)7. EDS 공정 (Testing) · 수율은 반도체 업체의 수익성과 직결된다. 수율이 높으면 같은 비용으로 더 많은 제품을 만들 수 있어 가격 경
- 에피택시 성장1. 웨이퍼 제조 공정 · 에피택시 성장은 반도체 소자의 성능을 결정짓는 핵심 공정이다. 이 공정을 통해 높은 품질의 결정 구조를 확보
- 습식 산화2. 산화 공정 (Oxidation) · 습식 산화는 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 역할을 한다. 첫째, 절연층으로서의 기능을 수행하여 소자의 전
- EUV 리소그래피3. 포토 공정 (Photo) · EUV 리소그래피는 반도체 소자의 집적도를 높이는 데 필수적이다. 반도체 기술의 발전은 트랜지스터의 크기를
- 단차 피복성5. 박막 증착 공정 (Deposition) · 현대 소자는 깊고 좁은 홈, 구멍, 계단 구조가 많다. 이런 곳에서 막이 모서리나 측벽에 얇게 쌓이면 그 부
- EDS 테스트 흐름7. EDS 공정 (Testing) · 패키징은 비용과 시간이 드는 공정이다. 불량 칩을 모르고 그대로 패키징하면 그 비용이 모두 낭비된다. EDS
- 플라즈마 식각4. 식각 공정 (Etching) · 소자가 미세해지면 패턴을 수직으로 정밀하게 깎아야 한다. 액체 약품을 쓰는 습식 식각은 사방으로 퍼지듯 깎는
차세대 첨단 기술
- High-k/Metal Gate차세대 소자 기술 · 전통적인 MOSFET 소자는 실리콘 산화막(SiO₂)과 폴리실리콘 게이트로 구성된다. 하지만 소자의 크기가
- HBM 구조어드밴스드 패키징 · AI 가속기 같은 프로세서는 연산 능력이 빠르게 늘었지만, 메모리에서 데이터를 가져오는 속도(대역폭)가 따라
- BSPDN 후면 전력차세대 소자 기술 · 칩 안의 트랜지스터는 신호만이 아니라 전원도 받아야 동작한다. 기존 방식에서는 신호 배선과 전력 배선이 트랜
- 하이브리드 본딩어드밴스드 패키징 · 칩들이 서로 연결되는 방식이 비효율적이라면, 아무리 내부 성능이 뛰어나도 외부와의 연결에서 병목이 발생할 수
- FinFET 구조차세대 소자 기술 · 반도체 기술이 발전하면서 트랜지스터의 소형화는 필수적이었다. 그러나 기존의 평면 트랜지스터는 소형화될수록 단
- 2.5D 인터포저어드밴스드 패키징 · 반도체 칩의 성능을 높이기 위한 한 가지 방법은 칩을 더 작고 빠르게 만드는 것이다. 그러나 미세 공정이 한
- TSV 공정어드밴스드 패키징 · TSV 공정은 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술의 핵심 요소로 자리잡고 있다.
- GAA 나노시트차세대 소자 기술 · GAA 나노시트는 소자 밀도(Device Density)를 증가시키고, 전력 소비(Power Consumpt